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文章出处:原创 责任编辑:admin 人气: 发表时间:2018-01-14 08:07

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  使用这种技术散热可以高效率地冷却高功率氮化镓(gan)高电子迁移率晶体管(hemt),从而使功率放大器在高功率水平下稳定工作。

  近年来,高频gan-hemt功率放大器已被广泛用于雷达和无线通信等远程无线电领域,距离将增大,碳化硅预计还将用于天气雷达观测局部暴雨,或者即将出现的5g毫米波段移动通信协议。对于这些使用微波到毫米波频段雷达或无线通信系统,j9九游会登录入口首页旧版-j9九游会登录入口首页新版j9九游会登录入口首页旧版-j9九游会登录入口首页新版通过提高用于传输的gan-hemt功率放大器的输出功率,无线电波能够传播的距离将增大,可扩展雷达观测范围,实现更远和更高容量的通信。

  12月6日至9日美国加利福尼亚州的ieee半导体接口专家会议(sisc2017)上,日本富士通及其子富士通实验室(fujitsu laboratories ltd)介绍了据称是第一个室温下实现单晶金刚石和碳化硅(sic)衬底焊接,关键是这两者都是硬质材料,但具有不同的热膨胀系数。

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