以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器-j9九游会登录入口首页旧版

　　2015年5月8日，在国务院印发《中国制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件，可见第三代半导体行业在国民经济发展中的重要地位。碳化硅也得到了世界各地政府的大力支。

　　以碳化硅、件在国务院印发《中国制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器氮化镓为代表的第三代半导体功率器件在国民经济发展中处于重要地位，碳化硅也得到了世界各地政府的大力支持，当前虽然整个碳化硅功率器件行业尚在起步阶段，j9九游会登录入口首页旧版-j9九游会登录入口首页新版但预计整个国内市场规模将达到4000亿元，专注于碳化硅 (碳化硅)材料的美国united silicon carbide（usci）正在大力开拓中国市场。。。。。？

　　近年来，以碳化硅(碳化硅)和氮化镓(gan)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、j9九游会登录入口首页旧版-j9九游会登录入口首页新版消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。