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发表时间：2016-06-14 15:11
碳化硅是第一个观察到电发光的半导体，它是一种很硬的材料，它的晶体属于闪锌矿结构。对于它的研究大部分是在多晶材料或多晶块中挑选出来的小晶体上进行的。它有多种晶型（有立方碳化硅或六角晶形），随着晶型的不同，带隙度宽在2-3ev之间。6h碳化硅的带隙宽度为2.98ev，且随温度升高而减少，其温度系数为3.3*0.0001ev/度。碳化硅是一种间接跃迁半导体，可以在其中掺入作为发光中心的杂质来实现发光，通过杂质的选择，碳化硅可以发蓝、绿、黄光。6h碳化硅中杂质的能级和相应的电发光管沟属间接跃迁型。
碳化硅在90-1000k温度范围内的迁移率具有与其他大多数半导体不同的行为。n型材料的霍尔迁移率在200k时约具有10c㎡/v.s的极大值，在1000k时大约降到2.5c㎡/v.s、90k时接近于零；p型材料的极大值不明显，200k时的迁移率值为70c㎡/v.s，1000k时为30c㎡/v.s。
碳化硅在90-1000k温度范围内的迁移率具有与其他大多数半导体不同的行为。n型材料的霍尔迁移率在200k时约具有10c㎡/v.s的极大值，在1000k时大约降到2.5c㎡/v.s、90k时接近于零；p型材料的极大值不明显，200k时的迁移率值为70c㎡/v.s，1000k时为30c㎡/v.s。
