以碳化硅为原料，采用特殊方法制出的制品的性能比按普通陶瓷法制出的制品为高。属于这类产品的有再结晶的、热压的、以氮化硅为结合剂的及其他制品等。这些制品应用于能有效地发挥其特殊性能的领域内。
再结晶碳化硅质制品系指在极高温度时，通常在还原气氛下，碳化硅颗粒之间通过再结品方法而直接结合的制品。碳化硅的再结晶与坯体的致密度无关，仅仅使制品获得强度。
相关资料指出，对于氧化物而言 ,其烧结的相对温度(烧结温度与熔化温度之比值，用k表示)随着与氧化物克分子容积相关的晶格能(千卡/厘米3)的增大而显著地提高。后者的值对碳化硅来说应当是极大的，因为碳化硅是一种具有原子为共价键、克分子容积小以及晶格能大的典型化合物。
因为在不存在液相的条件下烧结是靠扩散来完成的，那么可以假设，对于碳化硅来说，相对温度与晶格能的关系可能与氧化物的相似。在这种条件下，碳化硅的烧结温度应高于2000℃,因而其烧结应在其蒸气压力大的温度下进行，因为碳化硅于2293℃时蒸发。
因此，碳化硅的烧结是借助于气相来完成的，这就是碳化硅坯体再结晶烧结特殊的原因。
基于下述情况得出可通过气相烧结而使强度增加。
在一定的温度下，在凸面上蒸气的平衡压力比凹面上的大些。因此带凸面的颗拉处的碳化硅蒸发，而蒸气在带凹面及平坦表面的颗粒处凝结。由于这种物质迁移机理作用的结果，可能在颗粒的接触处发生颗粒的共生现象，致使形成坚实的坏体。这尤其是在受压的条件下颗拉接触面其有较大的曲率半径时更为显著。
同时，这种烧结机理不可能使坏体致密，因为蒸气蒸发与凝结的数量在比较好的条件下将要平衡。实际上，部分蒸气应当排除，此时坯体的气孔率增大。
按照文献介绍，由干从气相凝结的物质而使气孔充填的过程，比固体扩散烧结而带来的致密化要缓慢得多。此外，据此类机理推测有连续气孔系统存在，因此经过第一阶段烧结后，致密化不可能继续进行。蒸发一凝结仅仅导致气孔变成球形，因为这样可以保证形成带小曲率半径的凹形表面，即其上的蒸气压力最小的凹形表面。
为了使从气相所生成的晶格得到发育，必需使分子吸附在晶体的表面上，然后使之扩散。如果在鼓体上面的蒸气是过饱和的，则所吸附分子的数量比蒸发的多些，此时晶体扩大。但是，蒸气的过饱和取决于晶体的大些，因为在一定的温度下小型晶体上的燕代压力比大型晶体上的大些。如果蒸气的凝结相当多，则偶然形成的雏晶处于过饱和的介质中，并得到了发育。
当物质从气相结晶时，沉淀出的物质本质是致密的，使其中仅仅生成个别的封闭气孔。
当于还原的条件下在极广的温度范围(1600- 2300℃)内加热用细粉碎碳化硅制造的砖坯时，坯体发生显著地改变。于1900℃开始再结晶，当氢氟酸作用于坯体时它仍保持完整。于更低的温度下时，明显的再结晶仍然未进行，此时坯体的强度是要取决于碳化硅中杂质所生成的硅酸盐结合剂，这由该结合剂溶解于氢氟酸中而得到证实。
加热时砖坯的重量减轻，在2000℃以上减轻较明显，2200℃以上则更为剧烈。随着重量的损失，砖坯气孔率也相应地增大。
